RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
57
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
57
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
9.5
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2213
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link