RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
12.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1886
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link