RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
19.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3889
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link