RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3491
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link