RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
28
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2337
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link