RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2548
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link