Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB против Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Средняя оценка

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Сообщить об ошибке

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

Причины выбрать
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.6 15.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 11.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

27700 14900

Около 1.86 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 25
Скорость чтения, Гб/сек

15.4 17.6
Скорость записи, Гб/сек

11.3 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 27700

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2696 3542

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Mushkin 996902 2GB

Mushkin 996902 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB

Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

модули RAM