RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
58
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2088
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link