RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
58
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2193
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Mushkin 991586 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link