RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
58
Около -26% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
46
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2717
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link