Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB против Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Средняя оценка

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Сообщить об ошибке

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Причины выбрать
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 48

Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.4 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.1 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 14200

Около 1.35 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR5
Задержка в PassMark, нс

48 25
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 13.4
Скорость записи, Гб/сек

8.1 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14200 19200

Other

Описание

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Тайминги / частота

no data no data / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2357 3419

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Kingston 99U5700-028.A00G 8GB

Kingston 99U5700-028.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Kingston KHX426C13/8G 8GB

Kingston KHX426C13/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB

Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

модули RAM