RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
48
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
48
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2468
2196
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link