Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB против Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 37
    Около 5% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.8 left arrow 13.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.2 left arrow 9.9
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.8 left arrow 13.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.2 left arrow 9.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2336 left arrow 2389
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения