RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около -36% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2812
2583
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link