RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB против Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
60
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
60
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2570
2359
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905293-040.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link