RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB против Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
10.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
19.5
Скорость записи, Гб/сек
10.4
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3035
3572
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link