RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
12.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3199
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link