RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3495
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link