RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
51
Около -34% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2638
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link