RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
51
Около -38% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2814
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link