RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
51
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4230
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link