RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3987
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link