RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3606
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link