RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3092
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link