RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2481
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link