RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2929
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link