RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
51
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
47
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
11.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2362
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link