RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2812
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link