RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2854
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 99U5428-040.A01LF 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link