RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3430
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link