RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
51
Около -34% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2404
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link