RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
64
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
64
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2052
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link