RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2920
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link