RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991586 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сравнить
Mushkin 991586 2GB против Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
-->
Средняя оценка
Mushkin 991586 2GB
Средняя оценка
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Mushkin 991586 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Mushkin 991586 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.9
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2156
3313
Mushkin 991586 2GB Сравнения RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link