RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
50
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
50
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3277
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link