RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
46
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
11.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2481
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link