RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
39
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2159
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link