RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
92
Около -318% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3297
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link