RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Kingston 9965600-018.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
92
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
10.4
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2386
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link