RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
92
Около -207% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
6400
Около 3.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
23400
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2935
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kllisre 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link