RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
92
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2790
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link