RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
36
Около -112% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
17
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
22.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
3731
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link