Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    14.9 left arrow 14.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.5 left arrow 8.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 36
    Около -33% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.9 left arrow 14.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.5 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2292 left arrow 2436
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения