RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3344
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link