RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2903
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link