Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB против Kingston KVR24N17S8/4 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Средняя оценка

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.4

Среднее значение в тестах

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Причины выбрать
Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 67

Около -219% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.1 1,338.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

67 21
Скорость чтения, Гб/сек

3,206.2 15.4
Скорость записи, Гб/сек

1,338.6 7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

447 2073

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB

Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

модули RAM