Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 17.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 72
    Около -157% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    14.5 left arrow 1,938.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    23400 left arrow 6400
    Около 3.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    72 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,241.0 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,938.7 left arrow 14.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 23400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    677 left arrow 3419
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения