RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
64
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3726
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link