RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около -121% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3371
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link