RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
64
Около -167% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
14.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2135
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link